三星电子和SK海力士正在加快3D DRAM的商用化进程

据《首尔经济》3月12日报道，三星电子和SK海力士正在加快3D DRAM的商用化进程。然而，第三大芯片制造商美光(Micron)从2019年起就已经开始研究3D D-RAM，根据半导体技术分析公司TechInsights的数据，美光公司到去年8月已经获得了30多项3D D-RAM专利技术，这比三星电子（15项或更少）和SK海力士（10项左右）的3D D-RAM相关专利多出2至3倍。中国领先的D-RAM制造商和半导体技术研究机构，如长鑫存储（CXMT）和中国科学院，自去年底和今年初也宣布了一系列3D D-RAM研究成果。如果他们能够抢先实现商业化，由三星电子和SK海力士主导的D-RAM市场可能会被颠覆。

3D D-RAM是一种具有新结构的存储芯片，打破了现有模式。以前的D-RAM产品开发重点是通过减少电路线宽来提高密度，但随着线宽接近10纳米，电流泄漏和电容器的干扰等物理限制也大大增加。为防止这种情况发生,虽然引进了高介电常数(HIK)沉积物质、极紫外光刻(EUV)等新材料及设备, 但半导体业界认为, 10纳米以下的微型化将面临很大困难。 三星电子和SK海力士今年将量产的最尖端DRAM线宽为12纳米左右。考虑到目前D-RAM微型化的线宽缩减到1纳米的情况，具有新结构的D-RAM的商用化将在三到四年内成为一种必然。与传统的D-RAM市场不同，3D D-RAM是一个没有主导者的“无人区”，因此快速发展大规模生产技术至关重要。