三星电子下半年计划推出14纳米DRAM闪存 量子点显示屏有望明年上市

据韩联社7月30日报道，三星电子存储器副社长韩振万近日表示，三星电子已拥有业界最先进的光刻技术，如何正确使用并提高利用效率是三星目前重要的课题。

韩振万表示，三星电子下半年将推出14纳米DRAM和第7代V NAND闪存，此前降低成本是最大的难题，但今后推出的14纳米DRAM将使用EUV光刻机，随着整体工艺的简化，成本将得到一定程度的降低。今后10年，三星电子将制定新的技术路线图，致力于第8代V NAND闪存，最高可实现200层以上的数据堆叠。

根据三星电子公布计划，下半年其还将扩大代工领域生产，争取实现销售额增长20%以上，为追赶台积电打下基础。此外，量子点显示屏也将于今年四季度正式投产，有望于明年1月正式上市。