SK 海力士：开始量产采用极紫外光刻技术的第四代 10 纳米级DRAM产品

据韩国《NEWS1》7月9日报道，SK海力士12日表示，从7月初开始量产第四代10纳米级（la）的8GbLPDDR4移动端DRAM产品，这是SK 海力士首次采用极紫外光刻（EUV，即ExtremeUltraviolet）技术进行 DRAM 量产。

据悉，半导体业界对于10纳米级的DRAM产品，每一代都以字母标记简称，第一至第四代分别为“1x”、“1y”、“1z”和“1a”。SK海力士表示，曾在lyDRAM的生产过程中引进了部分EUV设备，并确认了其稳定性。

利用EUV技术有助于降低成本、提高收益，与第三代产品相比，1aDRAM从同样大小的晶片中获得的DRAM完成品数量将增加约25%。SK海力士计划在今后所有1aDRAM生产过程中均使用EUV技术。

此外，SK海力士今年2月曾与世界唯一生产EUV设备的荷兰半导体设备企业ASML签订了为期5年的设备采购合同，签约规模达47549亿韩元。

据悉，按每台EUV设备均价2000亿韩元测算，SK海力士5年内将购入超过20台的EUV设备。