新一代半导体技术竞争日趋激烈

据韩国《每日经济》8月6日报道，中国、美国、欧洲、日本等世界主要国家在以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为主的新一代半导体技术领域竞争日趋激烈。

相关市场调查机构统计显示，今年一季度， GaN半导体技术领域专利注册数量最多的企业是中国Sirius和日本三菱电机，均为14项，其后依次为中国英诺赛科（13件）、德国英飞凌（10件）、美国德州仪器（9件）等；韩国三星电子仅注册1件，远低于其他主要竞争企业。据有关机构预测，到2027年, GaN半导体市场将年均增长59%。韩国专家表示，GaN和SiC等新一代半导体未来发展前景广阔，世界主要国家自2000年初已选定GaN半导体为战略核心技术并大力发展，围绕新一代半导体专利的竞争日趋激烈，如在该技术领域“掉队”，韩国半导体将没有未来。