第三代半导体华人研发团队，主攻纳米尺寸表面处理。
核心技术为在 GaN 和 SiC 表面制备微纳结构，主要特征：N-GaN 进行表面结构处理后，垂直型蓝光 LED 光输出功率已大于400mW@350mA相比于无表面结构的器件，至少增加了1倍；封装好的LED 器件 EL 增强了 >17%；适用于侧流，垂直，或薄膜倒装等不同的芯片设计；方法快速 (<1 hour)，低成本，可以大面积；可使用已有的生产线；宽波段有效。
现创始人谋求国内合作方，希望带整个团队回国发展。

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